一、产品特点
MBF2R65/2R75为薄膜带通滤波器（也称薄膜微带滤波器），采用陶瓷基片、金丝键合，通过电镀、光刻、溅射等高精度薄膜半导体加工及焊接工艺，从而形成薄膜电路。MBF2R65/2R75薄膜带通滤波器为50Ω输入输出，金丝键合，频率为2.65GHz--2.75 GHz，中心频率为2.7GHz，带宽为100MHz ，中心频率插损为4.5 dB @ 2.7 GHz，回波损耗为15 dB@ 2.7 GHz，在2.75 GHz处的波动为1dB ，带外抑制大于等于40 dB @ 2.2 GHz；大于等于40 dB@ 3.5 GHz。工作温度为 -55℃~+85℃，储存温度为-55℃~+125℃，最高输出功率为33dBm。具有高性能，低温飘，温度范围宽，高功率，体积小 ，线条精度高、温度特性好、集成度高、焊接方便、重量轻、性能好、稳定性高等优点。 使用于多模块集成电路。
二、主要参数
| 项目 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
中心频率
| - | 2.7 | - | GHz |
| 通带上频率范围 | 2.65 | - | 2.75 | GHz |
| 带内波动 | - | - | 1 | dB |
| 中心插损 | - | 4.5 | - | dB |
| 回波损耗 | - | 15 | - | dB |
带外抑制
| ≥ 40 @ 2.2 GHz | dB |
| ≥ 40 @ 3.5 GHz | dB |
三、环境参数
| 工作温度 | -55℃~+85℃ |
| 存储温度 | -55℃~+125℃ |
| 最高输入功率 | 33dBm |
四、外型尺寸
尺寸符号
| 数值（mm）
|
| 最少值 | 标称值 | 最大值 |
| L | 5.5 | - | 5.6 |
| W | 5.5 | - | 5.6 |
| T | - | 0.254 | - |
五、曲线图
带外抑制＆回波损耗 VS 频率 图 远端抑㓡 VS 频率 图
六、建议装配图
七、注意事项
1. 器件距侧壁 0.2mm 左右，表面距上盖 3mm左右，器件端口可互换，建议分腔使用该器件。
2. 推荐使用低应力导电胶(如 ME8465)对该器件时行粘接
3. 器件应安装在可伐(推荐)或钼铜等与基片热膨胀系数(6.5~8.0ppm/℃)相当的载体上，载体厚度≥0.2mm
4. 使用时，建议微带线键合处采用 T 型结构进行匹配，T型尺寸如下
Rogers 5880 10 mil
| Rogers 5880 10 mil |
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| 适用频率：DC ~ 38 GHz | 适用频率：DC ~ 32 GHz |
| 注：T 型图形顶端距基板边 50 um；频率 10 GHz 以下无需匹配 |
八、产品用途
MBF2R65/2R75薄膜带通滤波器广泛应用于广泛地应用在卫星通信、移运通讯、电子对抗、航空航天、物联网、雷达、精确制导、国防军事领域以及 5G 通信、光通信等智能终端的民用的微电子通讯。
做为微波电子元器件的生产厂家，本公司定制提供3~13阶，2GHz--40GHz，3dB带宽从5%~60%，共面波导输入和输出的薄膜低通滤波器，薄膜高通滤波器，薄膜带通滤波器，薄膜带阻滤波器。但本产品属于定制性比较强的产品，器件已经制成，无法更改。定制薄膜滤波器时，用户需提出明确的参数说明，对超出材料物理极限的参数要求，可通过双方协商来达到最佳指标。
